Manufacturer
ROHMManufacturer Product Number
QS6J1TR
Description
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Manufacturer Standard Lead Time
10-15
Detailed Description
MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
| Type | Description |
|---|---|
| Category | Boxes, Enclosures, Racks andBox Components |
| Gate-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Drain-Source Saturation Current | 1.5A |
| Drain-Source On-Resistance | 0.235Ω |
| Resource Type | Link |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Attribute | Description |
|---|
| Quantity | Unit Price | Ext Price |
|---|---|---|
| 10+ | $ 0.5111 | |
| 100+ | $ 0.3927 | |
| 1000+ | $ 0.3217 | |
| 6000+ | $ 0.2437 | |
| 15000+ | $ 0.2117 |
Minimum:1/Multiple:1
Total amount:
QS6K1TR
2,5 V Drive Nch+Nch MOSFETs Typ Rohm QS.N-Kannal-Ausführung, für Schaltanwendungen; Tabellenangaben: Typ, Spannung (VDSS), Strom
ROHM
QS6K1TR
2,5 V Drive Nch+Nch MOSFETs Typ Rohm QS.N-Kannal-Ausführung, für Schaltanwendungen; Tabellenangaben: Typ, Spannung (VDSS), Strom
ROHM
QS6K1TR
2,5 V Drive Nch+Nch MOSFETs Typ Rohm QS.N-Kannal-Ausführung, für Schaltanwendungen; Tabellenangaben: Typ, Spannung (VDSS), Strom
ROHM